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红外循迹小车完美程序，什么弯都能转

于 2020-06-17 发布

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代码说明：

非常完美的红外循迹小车，除了红外循迹以外还包含了金属探测。非常完美。经过千锤百炼的好程序

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visual c++ 网络编程郑阿奇源码
个人建议里面的代码不需要全部阅读关键阅读第7到10章节里面3个案例 p2p http的web服务器 ftp服务器可以模仿下如果对线程知识不了解可以阅读书籍《win32 多线程编程》希望能给学习编程的朋友一些帮助

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AD9361中文资料，内容讲述了9361的使用，希望对射频开发者有用，AD9361规格除非另有说明,电气特性在 VDD GPO=33V, VDD INTERFACE=18V,所有其他VDDx引脚=1.3V,T=25°C下测得。表1参数符号最小值典型值最大值件测试条件/注释接收器,一般中心频率706000增益最小值最大值74.5800MH73.02300 MHZ(RX1A, RX2A)72.02300 MHz (RX1 B, RX1CRX2B, RX2C)65.55500 MHZ( RX1A, RX2A)增益步进接收信号强度指示器档位dB准确度dB接收器,800MHz噪声系数最大RX增益三阶输入交调载点IIP318dBrn最大RX增益二阶输入交周载点lP2最大RX增益本振(LO泄漏122dBmRX前端输入正交增益误差0.2%相位误差度调制精度(EVM)192MHz参考时钟输入S10巛1至RX2隔离R×1A至RX2A,RX1C至RX2CX1B至RX2B55RX2至RX1隔离RX2A至RX1A,RX2C至RX1CRX2B至RX1B接收器,2.4GHz噪声系数最大RX增益三阶输入交调载点lP314dBm最大RX增益阶输入父调载点lIP 2d bm最大RX增益本振(LO泄漏110dBm接收器前端输入正交增益误差相位误差0.2度调制精度(∈VM)4240MHz参考时钟输入5110RX1至RX2隔离RX1A至RXZA,RX1C至RX2CRX1B至RX2BRX2至RX1隔离RX2A至RX1A,RX2C至RX1CRX2B至RX1BRev. D Page 3 of 36AD9361参数符号最小值典型值最大值件测试条件注释接收器:55GHz噪声系数NF38最大RX增益三阶输入交调载点lP3d Bm最大RX增益二阶输入交调载点lP2dBm最人RX增益本振LO泄漏dBmx前端输入正交增益误差0.2相位误差度调制精度(EVM)40MHz参考时钟针对RF频率合成器内部加倍)输入51RX1A至RX2A隔离RXA至RX1A隔离5dB发射器一一般中心频率000z功率控制范围dB功率控制分辨率0.25发射器:800MHz输出S2最大输出功率dBm1MH信号音509负载)调制精度(EVM)192MHz参考时钟三阶输出交调载点OIP3dBm载波泄漏dBc0dB衰减40dB衰减本底噪声-157dBm/Hz90MHz偏移隔离1至TX2TX2至T×150dB发射器.24GHz输出SdB最大输出功率7.5dBm1MHz信号音(50Ω负载)调制精度(VM)dB40MHZ参考时钟三阶输出交调载点OIP319dbm载波泄漏0dB衰减3240dB衰减本底噪声156dBm/H290MHz偏移隔离TX1至TX2TX2至TX1dB发射器,5.5GHz输出S最大输出功率6.5dBm|7M信号音50负载)调制精度(EvM)3640MHz参考时钟(针对RF频率合成器内部加倍)三阶输出交调载点OIP317d Bm载波泄漏dBo0dB衰减40dB衰减本底噪声151dBm/Hz90MHz偏移隔离TX1至TX2TX2至TX150Rev. d Page 4 of 36AD9361参数1符号最小值典型值最大值件测试条件注释TX监控器输人(X_MON1,最大输入电平dBm动态范围准确度dBLO频率合成器O频率阶跃2.4 GHz. 40 MHz参考时钟积分相位噪声800 MHZrm100Hz至100MHz,3072MHz参考时钟(针对RF频率合成器内部加倍)24 GHz0.37rm100Hz至100MHz,40MHz参考时钟5.5 GHzrms100Hz至100MHz,40MHz参考时钟(针对R频率合成器内部加倍)参考时钟( REF CLKREF CLK要么为 XTALPXTALN引脚的输入要么为直接连接XTALN引脚的线路输入频率范围50品振输入外部振荡器信号电平Vpp|交流耦合外部振荡器辅助转换器ADO分辨度位输入电压最小值最大值VDDAIP3 BB-005DAO分辨度位输出电压最小值最大值VDD GPO-03输出电流mA数字规格(MOS)逻辑输入输人电压高VDD INTERFACE XO.8VDD INTERFACE低VDD INTERFACE×02V输入电流低+10逻辑输输出电压局VDD INTERFACE XO. 8低VDD_INTERFACE X0.2V数字规格(LVDS)逻辑输入输人电压范围8251575对中的各差分输入输入差分电压阈值100+100接收机差分输入阻抗100Rev. D Page 5 of 36AD9361参数符号最小值典型值最大值件测试条件/注释逻辑输出输出电压高低3751025输出差分电压150Vvvv可分75mV个阶跃编程输出失调电压1200通用输出输出电压高低VDD GPO×08VDD GPO×0.2输出电流SP|时序VDD INTERFACE= 1.8 VSPI CLK周期脉冲宽度SPI ENB建立至第一 SPI CLK上升沿最后 SPI CLK下降沿至0SPI ENB保持SPI DI数字输入建立至SP⊥CLKts数据输入保持至 SPI CLKnsSPI CLK上升沿至输出数据延迟4线模式3线模式ns总线周转时间,读BBP驱动最后地址位后总线周转时间,读0tco(max)nsAD9361驱动最后数据位后数字数据时序(CMOS),VDD INTERFACE=1.8VDATA CLK时钟周期1627661.44 MHZDATA CLK和 FB CLK脉冲宽度t的45%tcp的556TX数据TX FRAME,P0_D和建立至FB_CLK保持至 FB CLKHIX0DATA CLK至数据总线输出延迟toax01.5DATA_CLK至 RX FRAME延迟1.0脉冲宽度使能TXNRXFDD独立ENSM模式TXNRX建立至 ENABLEt0nsTDD ENSM模式总线周转时间RX前2×toTDD模式RX后2×tcpTDD模式容性负载3容性输入pRev. d Page 6 of 36AD9361参数符号最小值典型值最大值件测试条件注释数字数据时序(CMOS)VDD INTERFACE=2.5VDATA CLK时钟周期16.27661.44 MHzDATA CLK和 FB CLK脉冲宽度tcp的45%tc的55%TX数据TX FRAME,POD和P1 D建立至FB_CLK保持至 FB CLKDATA CLK至数据总线输出延迟tox0DATA CLK至 RX FRAME延迟tODDy脉冲宽度使能IXNRXXNRXPW trpFDD独立ENSM模式IXNRX建立至 ENABLEtTXNRXSU OIDD ENSM模式总线周转时间RX前2×toTDD模式tRusT2×tTDD模式容性负载容性输入数字数据时序LvDS)DATA_CLK时钟周期4.069245.76MHzDATA_CIK和FB_CK脉冲宽度t的45t的59TX数据IX HRAM和XD建立至 FB CLK保持至FB_CLKDATA CLK至数据总线输出延迟|tox025DATA CLK至 RX FRAME延迟0.25脉冲宽度使能FDD独立ENSM模式TXNRX建立至 ENABLE0TDD ENSM模式总线周转时间RX前2RX后容性负载容性输入pl电源特性13V电源电压1.2671.33VDD INTERFACE电源额定设置2.5LVDS1.82.5VDD INTERFACE容差+5%容差适用于任何电压设置VDD GPO电源标称设置3.3未用时,必须设为13VVDD GPO容差5%容差适用于任何电压设置电流消耗VDDx,休眠模式所有输入电流之和VDD GPO50A无负载指参数中多功能引脚的单个功能时,只会列出引脚名称中与规格相关的部分。要了解多功能引脚的仝部引脚名称,请参见引脚配置和功能描述"部分。Rev. D Page 7 of 36AD9361功耗一vDD_ INTERFACE表2 VDD INTERFACE=12V参数最小值典型值最大值件测试条件/注释休眠模式加电,器件禁用1RX 1TX DDRLTE10单端口2.9mA3072MHz数据时钟,CMOS双端∏2.7mA1536MHz数据时钟,CMOSLTE20双端口5.2mA3072MH数据时钟,CMOS2RX, 2TX, DDRLTE双端口1.3DA768MHz数据时钟,CMOSLTE10单端口4.6mA6144MHz数据时钟,CMOS双端口5.0mA3072MHz数据时钟,CMOSLTE20双端口8.2mA6144MHz数据吋钟,CMOSGSM双端口0.21.08MHz数据时钟,CMOSWiMAX 8.75双端口3.320MHz数据时钟,CMOSWiMAX 10单端口TDD RX0.5mA224MHz数据时钟,CMOSTDD TX3.6A224MHz数据时钟,CMOSFDD3.8448MHz数据吋钟,CMOSWiMAX 20双端口FDD6.7mA448MHz数据时钟,CMOS表3vDD| NTERFACE=18V参数最小值典型值最大值件测试条件/注释休眠模式加电,器件禁用1RX 1X DDRLTE10单端口4.5A3072MHz数据时钟,CMOS双端口4.1mA1536MHz数据时钟,CMOSLTE20双端口8.0mA30.72MHz数据时钟,CMoS2RX.2TX DDRLTE双端口2.0mA768MHz数据时钟,CMOSLTET0单端口8.0A6144MHz数据时钟,CMOS双端口7.5mA3072MHz数据时钟,CMOSLTE20双端口140mA6144MHz数据时钟,CMOSGSM双端口0.3A1.08MHz数据时钟,CMOSWiMAX 8.75双端口5.0MA20MHz数据时钟,CMOSRev. d Page 8 of 36AD9361参数最小值典型值最大值件测试条件/注释WiMAX 10单端口I DD RX07mA224MHz数据时钟,CMOTDD TX5.6mA224MHz数据时钟,CMOSFDD60448MHz数据时钟,CMOSWIMAX 20双端口FDD107mA448MHz数据时钟,CMOSP-P5675mV差分输出140mA240MHz数据时钟,LVDS300m差分输出350A240MHz数据时钟,LVDS450mV差分输出470mA240MH数据时钟,LVDS表4 VDD INTERFACE=25V参数最小值典型值最大值件测试条件/注释休眠模式150A加电,器件禁用1RX, 1TX DDRLTE10单端口6.5mA3072MHz数据时钟,CMOS双端口6.0A1536MHz数据时钟,CMOSLTE20双端口115nA3012MHz数据时钟,CMOS2RX, 2TX DDRLTE双端口30mA768MHz数据时钟,CMOsLTE10单端口115mA6144MHz数据时钟,CMOS双端口A3072MHz数据时钟,CMOSLTE20双端口2006144MHz数据时钟,CMOSGSM双端口0.5A1.08MHz数据时钟,CMOWiMAX 8.75双端口7.3A20MHz数据时钟,CMOSWIMAX 10单端TDD RX224MHz数据时钟,CMOSTDDTX8.0mA224MHz数据时钟,CMOSFDD8.7mA448MHz数据时钟,CMOSWiMAX 20双端口FDD153A448MHz数据时钟,CMOSP-P5675mV差分输出26.0240MHz数据时钟,LVDS300mV差分输出450mA240MHz数据时钟,LVDS450mV差分输出mA240MHz数据时钟,LVDSRev. D Page 9 of 36AD9361功耗一—vDDD1P3_DG和vDDA(全部13V电源组合)表5800MHz,TDD模式参数最小值典型值最大值件测试条件/注释1 RX5MHz带宽180nA连续RX10MHz带宽210A迕续RX20MHz带宽260MA连续RX2RX5MHz带宽265MA连续RX10MHz带宽315A连续RX20MHz带宽405mA连续RX1TX5MHz带宽dBl340nA连续TX-27dBmA连续TX10MHz带宽7 dBm360A连续TX27 dBm220MA连续TX20MHz带宽7 dBm400连续TX-27 dBm250mA连续TX5MHz带宽7 dBm550连续TX27 dB260连续TX10MHz带宽7 dBmA连续TX2 dBm310A连续TX20MHz带宽7 dBm660nA连续TX-27 dBm370mA连续TXRev. D Page 10 of36

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基于图像处理毕设（论文,源码,任务书,开题报告,答辩）
包含全部论文,源码,任务书,开题报告,答辩ppt内容，是我下载别人，现在不用了，发上来方便大家吧

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在电力电子装置中的一个重要组成部分,输入连接到控制电路的PWM信号输出端，输出连接到装置各IGBT的门极和发射极，将装置中的控制电路产生的数字PWM信号进行隔离传输和电平转换和功率放大,实现控制电路对IGBT进行开通和关断动作的控制，从而实现装置的功率变换功能。InfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Power Suppliesa Gate driving voltage for IGBT+15Vturn-on is normally +15VDriver>□1a Gate driving voltage for IGBTOVturn-off can be oV or negativeWith Single Power Supply5V to-15V)a Negative gate driving voltage+15Vhelps IGBt switch off fasterremain in off state but itDriverneeds dual power suppliesOVWhether to use oV or negativegate driving voltage depends15VWith Dual Power Supplieson the requirement on costZH Liang - Al APperformance05Dec2003agefor internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: InterfaceOpto-couplers is commonly used as interfacingdevices for applications where both signaltransmission and potential isolation are requiredOpto-couplers offers reliable isolation between IGBT(high-potential)& micro-controller(low-potential)Opto-couplers has long signal delay(us)and isexpensiveIsolation +VDpCCMicroDrivercontrollerZH Liang - Al AP05Dec2003Page 6for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Half-bridge DriveStandard configuration: 2 drivers, 2 power supplies, 2 opto-couplersAdvantages: standard, reliableDisadvantages: using opto-couplers, higher system costIsolation +VDDlCC1DriverCC1MicrocontrollerDD2+VCC2DriverCC2ZH Liang - Al AP05Dec2003Page 7for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Half-bridge DriveIn half-bridge IGBT drive, opto-couplers offer two functions(1)safety isolation &(2) shifting the potential of the gatesignal from uc potential to high-side potentialIf safety isolation between IGBT& micro-controller is notneeded, then"Level Shift" can replace opto-coupling andrealize function(2)OptoHigh-sideHigh-sidecouplerDriverIGBTMicro-Opto-LoW-sideLow-sidecontrollercouplerDriverIGBTZH Liang - Al AP05Dec2003Page 8for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive Level shiftI FeaturesHVc(600V/1200V)沿PULSERFILTERShort Signal DelayPULSE■Cost- effectiveGEN■ No Safety Isolationevel Shift Half-bridge DriverI BenefitHigh-side““°IGBTO Saving Opto-couplersLevel(lower system costShiftMicro● Wider range ofcontrollerLevelLow-side■■■■■直■口m留■Switching FrequencyShiftIGBT(higher flexibility)ZH Liang - Al AP05Dec2003Page 9for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: CLTNEWO CLT-Coreless Transformer (for signal transmissionu Coils(Primary Secondary Side)realized on SiliconO Short Signal Delay (allowing high or low switching frequencyu Lower Cost(compared to 1200V level-shift driver日 Safety IsolationCLT Half-bridge DriverHigh-sideCLT Single DriverIGBTCLTMicro-controllerCLTIGBTMicro-controllerLoW-sideIGBTZH Liang - Al AP05Dec2003agefor internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Boot-strapBoot-strap circuit includes only a diode and a capacitora In half-bridge drive, the boot-strap circuit can replace the high-sidepower supply and make single-supply operation possibleWhen the low-side IGBT (or FWD)is on, the diode is forwardbiased and the capacitor is charged by the low-side power supplyvia the low-side IGBT and stores the energyWhen the low-side IGBt(and FWD)is OFF, the diode is reversebiased and blocks the dc-bus voltage to protect the low-sidecircuit. Meanwhile, the capacitor supplies energy to the high-sidedriverThe boot-strap capacitance should be high enough to keep thesupply voltage stable Capacitance needed can be calculatedbased on the working conditions and device parametersZH Liang - Al AP05Dec2003agefor internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Boot-strap circuitConventional2心菲*|■3 high-side power supplies■1|oW- side power supplyUsing boot-strap circuit心体心心●3 diodes& capacitorso 1 low-side power supplyFeaturesa Diode: ultra-fast recoverya Capacitor: general-purposed ITAa Dependent on low-side IGBTBenefitsSaving 3 PS(transformer cost)22ZH Liang - Al AP05Dec2003Reducing wiring connectionPage 12for internal use onlyInfineon Technologies Asia Pacific

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