memory_pr_ps
于 2010-06-24 发布
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代码说明:
描述铁电存储器MFIS-FET结构饱和极化和剩余极化对存储窗口的影响(Description FRAM MFIS-FET structure of saturated polarization and remanent polarization effects on the storage window)
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..........\BNTV_memory_Pr_Ps_1.m,3170,2010-01-07
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